Yapay zekâ çiplerinde asıl darboğaz artık işlemci değil, bellek. Reuters ve Güney Koreli Seoul Economic Daily’nin aktardığı bilgilere göre Samsung, Nvidia’nın özel NVHBM belleğinin temel katmanını rakibi TSMC’nin 3 nanometrelik hattında üretecek. Samsung için bu bir ilk.

Nvidia Neden TSMC’nin 3 Nanometresini İstiyor?

HBM, birbiri üzerine dizilen bellek yongalarından oluşur ve en altta “base die” adı verilen bir mantık katmanı bulunur. Veri aktarım hızını bu katman belirler. Nvidia’nın NVHBM tasarımında, daha önce GPU üzerinde duran bellek denetleyicisi bu katmana taşınıyor. Böylece GPU’da hesaplama devrelerine yer açılıyor. Bu kadar işlevi küçük alana sığdırmak için çok ince bir üretim süreci gerekiyor. Sektör tahminlerine göre TSMC’nin 3 nanometre verimi yüzde 90’ın üzerinde; Samsung’un benzer 2 nanometre süreci ise yaklaşık yüzde 60 civarında.

Daha Hızlı, Daha Az Enerji Tüketen Bellek

Haberdeki bilgilere göre tasarımda fiziksel arayüz katmanı standart HBM’e kıyasla yüzde 60 küçültüldü. Bunun sonucunda NVHBM’nin, yedinci nesil standart HBM4E’ye göre bant genişliğini yüzde 30’a kadar artırabildiği ve enerji tüketimini yüzde 15 azalttığı belirtiliyor. Bant genişliği, belleğin işlemciye saniyede ne kadar veri taşıyabildiğini gösteren ölçüdür. Yapay zekâ modellerinin eğitiminde bu değer doğrudan hızı etkiliyor. Nvidia’nın Samsung, SK Hynix ve Micron’dan aynı süreçte base die üretmelerini istediği aktarılıyor; Samsung talebi kabul etti.

Arz Açığı Rakipleri Yakınlaştırıyor

UBS, gelecek yıl HBM talebinin yüzde 91 artarak yaklaşık 61,5 milyar gigabite çıkacağını, buna karşılık yeni arzın 54,6 milyar gigabitte kalacağını öngörüyor. Yani yaklaşık yüzde 10’luk bir açık var. Samsung’un 4 nanometrelik base die kapasitesi sınırlı olduğu için TSMC’nin hatları devreye giriyor. TSMC, Tainan’daki Fab 18’e iki yeni 3 nanometre hattı ekleyeceğini duyurmuştu. Öte yandan Samsung, TSMC’ye bağımlı kalmamak için NVHBM base die’ının kendi 2 nanometre sürecinde üretimini de test ediyor.